三星宣佈3nm晶片成功流片，規模化量產時間臨近

三星宣佈他們的3nm製程技術已經正式流片。據介紹，三星的3nm製程採用的是GAA架構，性能優於台積電的3nm FinFET架構。

外媒報導，三星宣佈他們的3nm製程技術已經正式流片。據介紹，三星的3nm製程採用的是GAA架構，性能優於台積電的3nm FinFET架構。

三星在3nm製程的流片進度是與新思科技（Synopsys）合作完成的，目的在於加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm製程採用不同於台積電或英特爾採用的FinFET的架構，而是採用GAA的結構。因此，三星採用了新思科技的Fusion Design Platform。

在技術性能上，GAA架構的晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下，GAA的溝道控制能力得以強化，借此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。

三星代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示，三星電子最新且先進的 3nm GAA 製程技術，受惠於與新思科技合作，Fusion Design Platform 加速準備，有效達成 3nm製程技術承諾，證明關鍵聯盟的重要性和優點。

此次流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的。先前，三星曾在2020年完成3nm的開發，但開發成功並不意味著產品最終進入量產的時間可以確定。伴隨著此次成功流片，三星3nm晶片大規模量產的時間點已經正式臨近。

先進製程一直是台積電、三星以及英特爾重要的角力戰場。隨著三星3nm採用GAA打算彎道超車，台積電則在3nm製程上仍持續採用FinFET架構， 在已知的技術基礎上可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品 。

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